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FDMB3900AN

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制造商部分
FDMB3900AN
制造商
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
描述
MOSFET 2N-CH 25V 7A 8MLP MICRO
类别
分立半导体产品
家庭
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 阵列
有存货
11338
在线数据表
FDMB3900AN PDF
  • 系列:PowerTrench®
  • 包裹:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • 零件状态:Active
  • 场效应管类型:2 N-Channel (Dual)
  • 场效应管特征:Logic Level Gate
  • 漏源电压 (vdss):25V
  • 电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:7A
  • rds on (max) @ id, vgs:23mOhm @ 7A, 10V
  • vgs(th) (最大值) @ id:3V @ 250µA
  • 栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:17nC @ 10V
  • 输入电容 (ciss) (max) @ vds:890pF @ 13V
  • 功率 - 最大值:800mW
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安装类型:Surface Mount
  • 包/箱:8-PowerWDFN
  • 供应商设备包:8-MLP, MicroFET (3x1.9)
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