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SSM6P35AFU,LF

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制造商部分
SSM6P35AFU,LF
制造商
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
描述
SMALL SIGNAL MOSFET P-CH X 2 VDS
类别
分立半导体产品
家庭
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 阵列
有存货
17105
在线数据表
-
  • 系列:U-MOSVII
  • 包裹:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • 零件状态:Active
  • 场效应管类型:2 P-Channel (Dual)
  • 场效应管特征:Logic Level Gate, 1.2V Drive
  • 漏源电压 (vdss):20V
  • 电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:250mA (Ta)
  • rds on (max) @ id, vgs:1.4Ohm @ 150mA, 4.5V
  • vgs(th) (最大值) @ id:1V @ 100µA
  • 栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:-
  • 输入电容 (ciss) (max) @ vds:42pF @ 10V
  • 功率 - 最大值:285mW (Ta)
  • 工作温度:150°C
  • 安装类型:Surface Mount
  • 包/箱:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 供应商设备包:US6
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