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RJK03P9DPA-00#J5A

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制造商部分
RJK03P9DPA-00#J5A
制造商
Renesas Electronics America
描述
POWER, N-CHANNEL MOSFET
类别
分立半导体产品
家庭
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 阵列
有存货
13106
在线数据表
-
  • 系列:-
  • 包裹:Bulk
  • 零件状态:Obsolete
  • 场效应管类型:2 N-Channel (Half Bridge)
  • 场效应管特征:Logic Level Gate, 4.5V Drive
  • 漏源电压 (vdss):30V
  • 电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:20A, 50A
  • rds on (max) @ id, vgs:7mOhm @ 10A, 10V
  • vgs(th) (最大值) @ id:-
  • 栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:7.7nC @ 4.5V
  • 输入电容 (ciss) (max) @ vds:1660pF @ 10V
  • 功率 - 最大值:15W, 35W
  • 工作温度:150°C (TJ)
  • 安装类型:Surface Mount
  • 包/箱:8-WFDFN Exposed Pad
  • 供应商设备包:8-WPAK
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