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FDMD85100

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制造商部分
FDMD85100
制造商
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
描述
MOSFET 2N-CH 100V
类别
分立半导体产品
家庭
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 阵列
有存货
19933
在线数据表
FDMD85100 PDF
  • 系列:PowerTrench®
  • 包裹:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • 零件状态:Active
  • 场效应管类型:2 N-Channel (Half Bridge)
  • 场效应管特征:Standard
  • 漏源电压 (vdss):100V
  • 电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:10.4A
  • rds on (max) @ id, vgs:9.9mOhm @ 10.4A, 10V
  • vgs(th) (最大值) @ id:4V @ 250µA
  • 栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:31nC @ 10V
  • 输入电容 (ciss) (max) @ vds:2230pF @ 50V
  • 功率 - 最大值:2.2W
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安装类型:Surface Mount
  • 包/箱:8-PowerWDFN
  • 供应商设备包:8-Power 5x6
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