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CSD75211W1723

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制造商部分
CSD75211W1723
制造商
Texas Instruments
描述
P-CHANNEL POWER MOSFET
类别
分立半导体产品
家庭
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 阵列
有存货
18465
在线数据表
-
  • 系列:NexFET™
  • 包裹:Bulk
  • 零件状态:Obsolete
  • 场效应管类型:2 P-Channel (Dual)
  • 场效应管特征:Logic Level Gate
  • 漏源电压 (vdss):20V
  • 电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:4.5A
  • rds on (max) @ id, vgs:40mOhm @ 2A, 4.5V
  • vgs(th) (最大值) @ id:1.1V @ 250µA
  • 栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:5.9nC @ 4.5V
  • 输入电容 (ciss) (max) @ vds:600pF @ 10V
  • 功率 - 最大值:1.5W
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安装类型:Surface Mount
  • 包/箱:12-UFBGA, DSBGA
  • 供应商设备包:12-DSBGA
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