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BSO330N02KGFUMA1

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制造商部分
BSO330N02KGFUMA1
制造商
IR (Infineon Technologies)
描述
SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
类别
分立半导体产品
家庭
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 阵列
有存货
16588
在线数据表
BSO330N02KGFUMA1 PDF
  • 系列:OptiMOS™
  • 包裹:Bulk
  • 零件状态:Obsolete
  • 场效应管类型:2 N-Channel (Dual)
  • 场效应管特征:Logic Level Gate
  • 漏源电压 (vdss):20V
  • 电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:5.4A
  • rds on (max) @ id, vgs:30mOhm @ 6.5A, 4.5V
  • vgs(th) (最大值) @ id:1.2V @ 20µA
  • 栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:4.9nC @ 4.5V
  • 输入电容 (ciss) (max) @ vds:730pF @ 10V
  • 功率 - 最大值:1.4W
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安装类型:Surface Mount
  • 包/箱:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 供应商设备包:PG-DSO-8
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