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FDC6301N

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制造商部分
FDC6301N
制造商
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
描述
MOSFET 2N-CH 25V 220MA SSOT6
类别
分立半导体产品
家庭
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 阵列
有存货
19716
在线数据表
FDC6301N PDF
  • 系列:-
  • 包裹:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • 零件状态:Active
  • 场效应管类型:2 N-Channel (Dual)
  • 场效应管特征:Logic Level Gate
  • 漏源电压 (vdss):25V
  • 电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:220mA
  • rds on (max) @ id, vgs:4Ohm @ 400mA, 4.5V
  • vgs(th) (最大值) @ id:1.5V @ 250µA
  • 栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:0.7nC @ 4.5V
  • 输入电容 (ciss) (max) @ vds:9.5pF @ 10V
  • 功率 - 最大值:700mW
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安装类型:Surface Mount
  • 包/箱:SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
  • 供应商设备包:SuperSOT™-6
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