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BLS6G3135S-20,112

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制造商部分
BLS6G3135S-20,112
制造商
NXP Semiconductors
描述
RF PFET, 1-ELEMENT, S BAND, SILI
类别
分立半导体产品
家庭
晶体管 - 场效应晶体管,场效应晶体管 - 射频
有存货
18699
在线数据表
BLS6G3135S-20,112 PDF
  • 系列:-
  • 包裹:Tube
  • 零件状态:Active
  • 晶体管型:LDMOS
  • 频率:3.1GHz ~ 3.5GHz
  • 获得:15.5dB
  • 电压测试:32 V
  • 额定电流(安培):1.5µA
  • 噪声系数:-
  • 电流测试:50 mA
  • 功率输出:20W
  • 额定电压:60 V
  • 包/箱:SOT-608B
  • 供应商设备包:CDFM2
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