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SGB02N120ATMA1

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制造商部分
SGB02N120ATMA1
制造商
IR (Infineon Technologies)
描述
IGBT, 6.2A I(C), 1200V V(BR)CES,
类别
分立半导体产品
家庭
晶体管 - igbts - 单
有存货
11373
在线数据表
SGB02N120ATMA1 PDF
  • 系列:-
  • 包裹:Bulk
  • 零件状态:Active
  • igbt型:NPT
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大值):1.2 V
  • 电流 - 集电极 (ic) (max):6.2 A
  • 电流 - 集电极脉冲 (icm):9.6 A
  • vce(on) (max) @ vge, ic:3.6V @ 15V, 2A
  • 功率 - 最大值:62 W
  • 开关能量:220µJ
  • 输入类型:Standard
  • 栅极电荷:11 nC
  • td(开/关)@ 25°c:23ns/260ns
  • 测试条件:800V, 2A, 91Ohm, 15V
  • 反向恢复时间 (trr):-
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安装类型:Surface Mount
  • 包/箱:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • 供应商设备包:PG-TO263-3-2
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