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IRGR2B60KDPBF

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制造商部分
IRGR2B60KDPBF
制造商
International Components Corp.
描述
IGBT WITH RECOVERY DIODE
类别
分立半导体产品
家庭
晶体管 - igbts - 单
有存货
14183
在线数据表
IRGR2B60KDPBF PDF
  • 系列:-
  • 包裹:Tube
  • 零件状态:Obsolete
  • igbt型:-
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大值):600 V
  • 电流 - 集电极 (ic) (max):6.3 A
  • 电流 - 集电极脉冲 (icm):8 A
  • vce(on) (max) @ vge, ic:2.25V @ 15V, 2A
  • 功率 - 最大值:35 W
  • 开关能量:74µJ (on), 39µJ (off)
  • 输入类型:Standard
  • 栅极电荷:12 nC
  • td(开/关)@ 25°c:11ns/150ns
  • 测试条件:400V, 2A, 100Ohm, 15V
  • 反向恢复时间 (trr):45 ns
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安装类型:Surface Mount
  • 包/箱:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • 供应商设备包:D-Pak
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