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NGB8206NTF4G

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制造商部分
NGB8206NTF4G
制造商
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
描述
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
类别
分立半导体产品
家庭
晶体管 - igbts - 单
有存货
10140
在线数据表
NGB8206NTF4G PDF
  • 系列:*
  • 包裹:Bulk
  • 零件状态:Obsolete
  • igbt型:-
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大值):390 V
  • 电流 - 集电极 (ic) (max):20 A
  • 电流 - 集电极脉冲 (icm):-
  • vce(on) (max) @ vge, ic:1.9V @ 4.5V, 20A
  • 功率 - 最大值:150 W
  • 开关能量:-
  • 输入类型:Logic
  • 栅极电荷:-
  • td(开/关)@ 25°c:-
  • 测试条件:-
  • 反向恢复时间 (trr):-
  • 工作温度:-
  • 安装类型:Surface Mount
  • 包/箱:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • 供应商设备包:D2PAK
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