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SSM3J112TU,LF

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制造商部分
SSM3J112TU,LF
制造商
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
描述
MOSFET P-CH 30V 1.1A UFM
类别
分立半导体产品
家庭
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单
有存货
19965
在线数据表
SSM3J112TU,LF PDF
  • 系列:-
  • 包裹:Tape & Reel (TR)
  • 零件状态:Active
  • 场效应管类型:P-Channel
  • 技术:MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏源电压 (vdss):30 V
  • 电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:1.1A (Ta)
  • 驱动电压(最大 rds on,最小 rds on):4V, 10V
  • rds on (max) @ id, vgs:390mOhm @ 500mA, 10V
  • vgs(th) (最大值) @ id:1.8V @ 100µA
  • 栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:-
  • vgs (最大值):±20V
  • 输入电容 (ciss) (max) @ vds:86 pF @ 15 V
  • 场效应管特征:-
  • 功耗(最大值):800mW (Ta)
  • 工作温度:150°C
  • 安装类型:Surface Mount
  • 供应商设备包:UFM
  • 包/箱:3-SMD, Flat Lead
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