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TN5335K1-G

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制造商部分
TN5335K1-G
制造商
Roving Networks / Microchip Technology
描述
MOSFET N-CH 350V 110MA SOT23
类别
分立半导体产品
家庭
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单
有存货
12292
在线数据表
TN5335K1-G PDF
  • 系列:-
  • 包裹:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • 零件状态:Active
  • 场效应管类型:N-Channel
  • 技术:MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏源电压 (vdss):350 V
  • 电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:110mA (Tj)
  • 驱动电压(最大 rds on,最小 rds on):3V, 10V
  • rds on (max) @ id, vgs:15Ohm @ 200mA, 10V
  • vgs(th) (最大值) @ id:2V @ 1mA
  • 栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:-
  • vgs (最大值):±20V
  • 输入电容 (ciss) (max) @ vds:110 pF @ 25 V
  • 场效应管特征:-
  • 功耗(最大值):360mW (Ta)
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安装类型:Surface Mount
  • 供应商设备包:SOT-23 (TO-236AB)
  • 包/箱:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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