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TPN4R712MD,L1Q

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制造商部分
TPN4R712MD,L1Q
制造商
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
描述
MOSFET P-CH 20V 36A 8TSON
类别
分立半导体产品
家庭
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单
有存货
16869
在线数据表
TPN4R712MD,L1Q PDF
  • 系列:U-MOSVI
  • 包裹:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • 零件状态:Active
  • 场效应管类型:P-Channel
  • 技术:MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏源电压 (vdss):20 V
  • 电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:36A (Tc)
  • 驱动电压(最大 rds on,最小 rds on):2.5V, 4.5V
  • rds on (max) @ id, vgs:4.7mOhm @ 18A, 4.5V
  • vgs(th) (最大值) @ id:1.2V @ 1mA
  • 栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:65 nC @ 5 V
  • vgs (最大值):±12V
  • 输入电容 (ciss) (max) @ vds:4300 pF @ 10 V
  • 场效应管特征:-
  • 功耗(最大值):42W (Tc)
  • 工作温度:150°C (TJ)
  • 安装类型:Surface Mount
  • 供应商设备包:8-TSON Advance (3.3x3.3)
  • 包/箱:8-PowerVDFN
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