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VP0109N3-G

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制造商部分
VP0109N3-G
制造商
Roving Networks / Microchip Technology
描述
MOSFET P-CH 90V 250MA TO92-3
类别
分立半导体产品
家庭
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单
有存货
15100
在线数据表
VP0109N3-G PDF
  • 系列:-
  • 包裹:Bulk
  • 零件状态:Active
  • 场效应管类型:P-Channel
  • 技术:MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏源电压 (vdss):90 V
  • 电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:250mA (Tj)
  • 驱动电压(最大 rds on,最小 rds on):5V, 10V
  • rds on (max) @ id, vgs:8Ohm @ 500mA, 10V
  • vgs(th) (最大值) @ id:3.5V @ 1mA
  • 栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:-
  • vgs (最大值):±20V
  • 输入电容 (ciss) (max) @ vds:60 pF @ 25 V
  • 场效应管特征:-
  • 功耗(最大值):1W (Tc)
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安装类型:Through Hole
  • 供应商设备包:TO-92-3
  • 包/箱:TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
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