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SSM3K16CT(TPL3)

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制造商部分
SSM3K16CT(TPL3)
制造商
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
描述
MOSFET N-CH 20V 100MA CST3
类别
分立半导体产品
家庭
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单
有存货
10444
在线数据表
SSM3K16CT(TPL3) PDF
  • 系列:π-MOSVI
  • 包裹:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • 零件状态:Not For New Designs
  • 场效应管类型:N-Channel
  • 技术:MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏源电压 (vdss):20 V
  • 电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:100mA (Ta)
  • 驱动电压(最大 rds on,最小 rds on):1.5V, 4V
  • rds on (max) @ id, vgs:3Ohm @ 10mA, 4V
  • vgs(th) (最大值) @ id:1.1V @ 100µA
  • 栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:-
  • vgs (最大值):±10V
  • 输入电容 (ciss) (max) @ vds:9.3 pF @ 3 V
  • 场效应管特征:-
  • 功耗(最大值):100mW (Ta)
  • 工作温度:150°C (TJ)
  • 安装类型:Surface Mount
  • 供应商设备包:CST3
  • 包/箱:SC-101, SOT-883
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