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APT66M60L

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制造商部分
APT66M60L
制造商
Roving Networks / Microchip Technology
描述
MOSFET N-CH 600V 70A TO264
类别
分立半导体产品
家庭
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单
有存货
13881
在线数据表
APT66M60L PDF
  • 系列:POWER MOS 8™
  • 包裹:Tube
  • 零件状态:Active
  • 场效应管类型:N-Channel
  • 技术:MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏源电压 (vdss):600 V
  • 电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:70A (Tc)
  • 驱动电压(最大 rds on,最小 rds on):10V
  • rds on (max) @ id, vgs:190mOhm @ 33A, 10V
  • vgs(th) (最大值) @ id:5V @ 2.5mA
  • 栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:330 nC @ 10 V
  • vgs (最大值):±30V
  • 输入电容 (ciss) (max) @ vds:13190 pF @ 25 V
  • 场效应管特征:-
  • 功耗(最大值):1135W (Tc)
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安装类型:Through Hole
  • 供应商设备包:TO-264 [L]
  • 包/箱:TO-264-3, TO-264AA
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