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DMTH10H010SPSQ-13

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制造商部分
DMTH10H010SPSQ-13
制造商
Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
描述
MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
类别
分立半导体产品
家庭
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单
有存货
14827
在线数据表
DMTH10H010SPSQ-13 PDF
  • 系列:Automotive, AEC-Q101
  • 包裹:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • 零件状态:Active
  • 场效应管类型:N-Channel
  • 技术:MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏源电压 (vdss):100 V
  • 电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:11.8A (Ta), 100A (Tc)
  • 驱动电压(最大 rds on,最小 rds on):6V, 10V
  • rds on (max) @ id, vgs:8.8mOhm @ 13A, 10V
  • vgs(th) (最大值) @ id:4V @ 250µA
  • 栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:56.4 nC @ 10 V
  • vgs (最大值):±20V
  • 输入电容 (ciss) (max) @ vds:4468 pF @ 50 V
  • 场效应管特征:-
  • 功耗(最大值):1.5W (Ta), 166W (Tc)
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安装类型:Surface Mount
  • 供应商设备包:PowerDI5060-8
  • 包/箱:8-PowerTDFN
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