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TPH3212PS

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制造商部分
TPH3212PS
制造商
Transphorm
描述
GANFET N-CH 650V 27A TO220AB
类别
分立半导体产品
家庭
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单
有存货
14466
在线数据表
TPH3212PS PDF
  • 系列:-
  • 包裹:Tube
  • 零件状态:Last Time Buy
  • 场效应管类型:N-Channel
  • 技术:GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
  • 漏源电压 (vdss):650 V
  • 电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:27A (Tc)
  • 驱动电压(最大 rds on,最小 rds on):10V
  • rds on (max) @ id, vgs:72mOhm @ 17A, 8V
  • vgs(th) (最大值) @ id:2.6V @ 400uA
  • 栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:14 nC @ 8 V
  • vgs (最大值):±18V
  • 输入电容 (ciss) (max) @ vds:1130 pF @ 400 V
  • 场效应管特征:-
  • 功耗(最大值):104W (Tc)
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安装类型:Through Hole
  • 供应商设备包:TO-220AB
  • 包/箱:TO-220-3
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