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UF3SC120009K4S

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制造商部分
UF3SC120009K4S
制造商
UnitedSiC
描述
SICFET N-CH 1200V 120A TO247-4
类别
分立半导体产品
家庭
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单
有存货
16298
在线数据表
-
  • 系列:-
  • 包裹:Tube
  • 零件状态:Active
  • 场效应管类型:N-Channel
  • 技术:SiCFET (Cascode SiCJFET)
  • 漏源电压 (vdss):1200 V
  • 电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:120A (Tc)
  • 驱动电压(最大 rds on,最小 rds on):12V
  • rds on (max) @ id, vgs:11mOhm @ 100A, 12V
  • vgs(th) (最大值) @ id:6V @ 10mA
  • 栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:234 nC @ 15 V
  • vgs (最大值):±20V
  • 输入电容 (ciss) (max) @ vds:8512 pF @ 100 V
  • 场效应管特征:-
  • 功耗(最大值):789W (Tc)
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安装类型:Through Hole
  • 供应商设备包:TO-247-4
  • 包/箱:TO-247-4
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