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XPN12006NC,L1XHQ

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制造商部分
XPN12006NC,L1XHQ
制造商
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
描述
MOSFET N-CH 60V 20A 8TSON
类别
分立半导体产品
家庭
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单
有存货
13644
在线数据表
-
  • 系列:Automotive, AEC-Q101
  • 包裹:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • 零件状态:Active
  • 场效应管类型:N-Channel
  • 技术:MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏源电压 (vdss):60 V
  • 电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:20A
  • 驱动电压(最大 rds on,最小 rds on):4.5V, 10V
  • rds on (max) @ id, vgs:12mOhm @ 10A, 10V
  • vgs(th) (最大值) @ id:2.5V @ 0.2mA
  • 栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:23 nC @ 10 V
  • vgs (最大值):±20V
  • 输入电容 (ciss) (max) @ vds:1100 pF @ 10 V
  • 场效应管特征:-
  • 功耗(最大值):65W (Tc)
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C
  • 安装类型:Surface Mount
  • 供应商设备包:8-TSON Advance-WF (3.1x3.1)
  • 包/箱:8-PowerVDFN
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