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TPH3202LD

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制造商部分
TPH3202LD
制造商
Transphorm
描述
GANFET N-CH 600V 9A 4PQFN
类别
分立半导体产品
家庭
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单
有存货
13693
在线数据表
TPH3202LD PDF
  • 系列:-
  • 包裹:Tube
  • 零件状态:Obsolete
  • 场效应管类型:N-Channel
  • 技术:GaNFET (Gallium Nitride)
  • 漏源电压 (vdss):600 V
  • 电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:9A (Tc)
  • 驱动电压(最大 rds on,最小 rds on):10V
  • rds on (max) @ id, vgs:350mOhm @ 5.5A, 8V
  • vgs(th) (最大值) @ id:2.5V @ 250µA
  • 栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:9.3 nC @ 4.5 V
  • vgs (最大值):±18V
  • 输入电容 (ciss) (max) @ vds:760 pF @ 480 V
  • 场效应管特征:-
  • 功耗(最大值):65W (Tc)
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安装类型:Surface Mount
  • 供应商设备包:4-PQFN (8x8)
  • 包/箱:4-PowerDFN
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