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IPN60R1K5PFD7SATMA1

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制造商部分
IPN60R1K5PFD7SATMA1
制造商
IR (Infineon Technologies)
描述
MOSFET N-CH 650V 3.6A SOT223
类别
分立半导体产品
家庭
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单
有存货
17357
在线数据表
-
  • 系列:CoolMOS™PFD7
  • 包裹:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • 零件状态:Active
  • 场效应管类型:N-Channel
  • 技术:MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏源电压 (vdss):650 V
  • 电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:3.6A (Tc)
  • 驱动电压(最大 rds on,最小 rds on):10V
  • rds on (max) @ id, vgs:1.5Ohm @ 700mA, 10V
  • vgs(th) (最大值) @ id:4.5V @ 40µA
  • 栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:4.6 nC @ 10 V
  • vgs (最大值):±20V
  • 输入电容 (ciss) (max) @ vds:169 pF @ 400 V
  • 场效应管特征:-
  • 功耗(最大值):6W (Tc)
  • 工作温度:-40°C ~ 150°C (TJ)
  • 安装类型:Surface Mount
  • 供应商设备包:PG-SOT223
  • 包/箱:TO-261-3
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