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G3R350MT12D

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制造商部分
G3R350MT12D
制造商
GeneSiC Semiconductor
描述
SIC MOSFET N-CH 11A TO247-3
类别
分立半导体产品
家庭
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单
有存货
16083
在线数据表
-
  • 系列:G3R™
  • 包裹:Tube
  • 零件状态:Active
  • 场效应管类型:N-Channel
  • 技术:SiCFET (Silicon Carbide)
  • 漏源电压 (vdss):1200 V
  • 电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:11A (Tc)
  • 驱动电压(最大 rds on,最小 rds on):15V
  • rds on (max) @ id, vgs:420mOhm @ 4A, 15V
  • vgs(th) (最大值) @ id:2.69V @ 2mA
  • 栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:12 nC @ 15 V
  • vgs (最大值):±15V
  • 输入电容 (ciss) (max) @ vds:334 pF @ 800 V
  • 场效应管特征:-
  • 功耗(最大值):74W (Tc)
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安装类型:Through Hole
  • 供应商设备包:TO-247-3
  • 包/箱:TO-247-3
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