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IRFD9110

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制造商部分
IRFD9110
制造商
Harris Corporation
描述
0.7A 100V 1.200 OHM P-CHANNEL
类别
分立半导体产品
家庭
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单
有存货
15995
在线数据表
IRFD9110 PDF
  • 系列:-
  • 包裹:Bulk
  • 零件状态:Active
  • 场效应管类型:P-Channel
  • 技术:MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏源电压 (vdss):100 V
  • 电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:700mA (Ta)
  • 驱动电压(最大 rds on,最小 rds on):10V
  • rds on (max) @ id, vgs:1.2Ohm @ 420mA, 10V
  • vgs(th) (最大值) @ id:4V @ 250µA
  • 栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:8.7 nC @ 10 V
  • vgs (最大值):±20V
  • 输入电容 (ciss) (max) @ vds:200 pF @ 25 V
  • 场效应管特征:-
  • 功耗(最大值):1.3W (Ta)
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安装类型:Through Hole
  • 供应商设备包:4-DIP, Hexdip, HVMDIP
  • 包/箱:4-DIP (0.300", 7.62mm)
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