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EPC2023

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制造商部分
EPC2023
制造商
EPC
描述
GANFET N-CH 30V 60A DIE
类别
分立半导体产品
家庭
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单
有存货
12846
在线数据表
EPC2023 PDF
  • 系列:eGaN®
  • 包裹:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • 零件状态:Active
  • 场效应管类型:N-Channel
  • 技术:GaNFET (Gallium Nitride)
  • 漏源电压 (vdss):30 V
  • 电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:60A (Ta)
  • 驱动电压(最大 rds on,最小 rds on):-
  • rds on (max) @ id, vgs:1.3mOhm @ 40A, 5V
  • vgs(th) (最大值) @ id:2.5V @ 20mA
  • 栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:-
  • vgs (最大值):-
  • 输入电容 (ciss) (max) @ vds:2300 pF @ 15 V
  • 场效应管特征:-
  • 功耗(最大值):-
  • 工作温度:-
  • 安装类型:Surface Mount
  • 供应商设备包:Die
  • 包/箱:Die
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