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GA05JT03-46

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制造商部分
GA05JT03-46
制造商
GeneSiC Semiconductor
描述
TRANS SJT 300V 9A TO46
类别
分立半导体产品
家庭
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单
有存货
10287
在线数据表
GA05JT03-46 PDF
  • 系列:-
  • 包裹:Bulk
  • 零件状态:Not For New Designs
  • 场效应管类型:-
  • 技术:SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
  • 漏源电压 (vdss):300 V
  • 电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:9A (Tc)
  • 驱动电压(最大 rds on,最小 rds on):-
  • rds on (max) @ id, vgs:240mOhm @ 5A
  • vgs(th) (最大值) @ id:-
  • 栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:-
  • vgs (最大值):-
  • 输入电容 (ciss) (max) @ vds:-
  • 场效应管特征:-
  • 功耗(最大值):20W (Tc)
  • 工作温度:-55°C ~ 225°C (TJ)
  • 安装类型:Through Hole
  • 供应商设备包:TO-46
  • 包/箱:TO-46-3
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