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RSR020N06TL

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制造商部分
RSR020N06TL
制造商
ROHM Semiconductor
描述
MOSFET N-CH 60V 2A TSMT3
类别
分立半导体产品
家庭
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单
有存货
12367
在线数据表
RSR020N06TL PDF
  • 系列:-
  • 包裹:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • 零件状态:Not For New Designs
  • 场效应管类型:N-Channel
  • 技术:MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏源电压 (vdss):60 V
  • 电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:2A (Ta)
  • 驱动电压(最大 rds on,最小 rds on):4V, 10V
  • rds on (max) @ id, vgs:170mOhm @ 2A, 10V
  • vgs(th) (最大值) @ id:2.5V @ 1mA
  • 栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:4.9 nC @ 10 V
  • vgs (最大值):±20V
  • 输入电容 (ciss) (max) @ vds:180 pF @ 10 V
  • 场效应管特征:-
  • 功耗(最大值):540mW (Ta)
  • 工作温度:150°C (TJ)
  • 安装类型:Surface Mount
  • 供应商设备包:TSMT3
  • 包/箱:SC-96
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