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TK6Q60W,S1VQ

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制造商部分
TK6Q60W,S1VQ
制造商
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
描述
MOSFET N-CH 600V 6.2A IPAK
类别
分立半导体产品
家庭
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单
有存货
16392
在线数据表
TK6Q60W,S1VQ PDF
  • 系列:DTMOSIV
  • 包裹:Tube
  • 零件状态:Active
  • 场效应管类型:N-Channel
  • 技术:MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏源电压 (vdss):600 V
  • 电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:6.2A (Ta)
  • 驱动电压(最大 rds on,最小 rds on):10V
  • rds on (max) @ id, vgs:820mOhm @ 3.1A, 10V
  • vgs(th) (最大值) @ id:3.7V @ 310µA
  • 栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:12 nC @ 10 V
  • vgs (最大值):±30V
  • 输入电容 (ciss) (max) @ vds:390 pF @ 300 V
  • 场效应管特征:Super Junction
  • 功耗(最大值):60W (Tc)
  • 工作温度:150°C (TJ)
  • 安装类型:Through Hole
  • 供应商设备包:I-PAK
  • 包/箱:TO-251-3 Stub Leads, IPak
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