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IXFK26N100P

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制造商部分
IXFK26N100P
制造商
Wickmann / Littelfuse
描述
MOSFET N-CH 1000V 26A TO264AA
类别
分立半导体产品
家庭
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单
有存货
18248
在线数据表
IXFK26N100P PDF
  • 系列:HiPerFET™, PolarP2™
  • 包裹:Tube
  • 零件状态:Active
  • 场效应管类型:N-Channel
  • 技术:MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏源电压 (vdss):1000 V
  • 电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:26A (Tc)
  • 驱动电压(最大 rds on,最小 rds on):10V
  • rds on (max) @ id, vgs:390mOhm @ 13A, 10V
  • vgs(th) (最大值) @ id:6.5V @ 1mA
  • 栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:197 nC @ 10 V
  • vgs (最大值):±30V
  • 输入电容 (ciss) (max) @ vds:11900 pF @ 25 V
  • 场效应管特征:-
  • 功耗(最大值):780W (Tc)
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安装类型:Through Hole
  • 供应商设备包:TO-264AA (IXFK)
  • 包/箱:TO-264-3, TO-264AA
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