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NVMSD6N303R2G

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制造商部分
NVMSD6N303R2G
制造商
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
描述
MOSFET N-CH 30V 6A 8SOIC
类别
分立半导体产品
家庭
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单
有存货
14369
在线数据表
-
  • 系列:-
  • 包裹:Bulk
  • 零件状态:Obsolete
  • 场效应管类型:N-Channel
  • 技术:MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏源电压 (vdss):30 V
  • 电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:6A (Ta)
  • 驱动电压(最大 rds on,最小 rds on):-
  • rds on (max) @ id, vgs:32mOhm @ 6A, 10V
  • vgs(th) (最大值) @ id:2.5V @ 250µA
  • 栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:30 nC @ 10 V
  • vgs (最大值):-
  • 输入电容 (ciss) (max) @ vds:950 pF @ 24 V
  • 场效应管特征:Schottky Diode (Isolated)
  • 功耗(最大值):-
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安装类型:Surface Mount
  • 供应商设备包:8-SOIC
  • 包/箱:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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