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SIHB6N65E-GE3

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制造商部分
SIHB6N65E-GE3
制造商
Vishay / Siliconix
描述
MOSFET N-CH 650V 7A D2PAK
类别
分立半导体产品
家庭
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单
有存货
11793
在线数据表
SIHB6N65E-GE3 PDF
  • 系列:-
  • 包裹:Tube
  • 零件状态:Active
  • 场效应管类型:N-Channel
  • 技术:MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏源电压 (vdss):650 V
  • 电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:7A (Tc)
  • 驱动电压(最大 rds on,最小 rds on):10V
  • rds on (max) @ id, vgs:600mOhm @ 3A, 10V
  • vgs(th) (最大值) @ id:4V @ 250µA
  • 栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:48 nC @ 10 V
  • vgs (最大值):±30V
  • 输入电容 (ciss) (max) @ vds:820 pF @ 100 V
  • 场效应管特征:-
  • 功耗(最大值):78W (Tc)
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安装类型:Surface Mount
  • 供应商设备包:D²PAK (TO-263)
  • 包/箱:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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