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BSH121,135

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制造商部分
BSH121,135
制造商
Nexperia
描述
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
类别
分立半导体产品
家庭
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单
有存货
19926
在线数据表
BSH121,135 PDF
  • 系列:TrenchMOS™
  • 包裹:Bulk
  • 零件状态:Active
  • 场效应管类型:N-Channel
  • 技术:MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏源电压 (vdss):75 V
  • 电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:300mA (Ta)
  • 驱动电压(最大 rds on,最小 rds on):1.8V, 4.5V
  • rds on (max) @ id, vgs:4Ohm @ 500mA, 4.5V
  • vgs(th) (最大值) @ id:1.3V @ 1mA
  • 栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:1 nC @ 8 V
  • vgs (最大值):±8V
  • 输入电容 (ciss) (max) @ vds:40 pF @ 10 V
  • 场效应管特征:-
  • 功耗(最大值):700mW (Tc)
  • 工作温度:-65°C ~ 150°C (TJ)
  • 安装类型:Surface Mount
  • 供应商设备包:SOT-323
  • 包/箱:SC-70, SOT-323
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