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APTM20DAM05G

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制造商部分
APTM20DAM05G
制造商
Roving Networks / Microchip Technology
描述
MOSFET N-CH 200V 317A SP6
类别
分立半导体产品
家庭
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单
有存货
15041
在线数据表
APTM20DAM05G PDF
  • 系列:-
  • 包裹:Bulk
  • 零件状态:Active
  • 场效应管类型:N-Channel
  • 技术:MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏源电压 (vdss):200 V
  • 电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:317A (Tc)
  • 驱动电压(最大 rds on,最小 rds on):10V
  • rds on (max) @ id, vgs:6mOhm @ 158.5A, 10V
  • vgs(th) (最大值) @ id:5V @ 10mA
  • 栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:448 nC @ 10 V
  • vgs (最大值):±30V
  • 输入电容 (ciss) (max) @ vds:27400 pF @ 25 V
  • 场效应管特征:-
  • 功耗(最大值):1136W (Tc)
  • 工作温度:-40°C ~ 150°C (TJ)
  • 安装类型:Chassis Mount
  • 供应商设备包:SP6
  • 包/箱:SP6
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