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CSD25310Q2T

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制造商部分
CSD25310Q2T
制造商
Texas Instruments
描述
MOSFET P-CH 20V 20A 6WSON
类别
分立半导体产品
家庭
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单
有存货
17258
在线数据表
-
  • 系列:NexFET™
  • 包裹:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • 零件状态:Active
  • 场效应管类型:P-Channel
  • 技术:MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏源电压 (vdss):20 V
  • 电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:20A (Ta)
  • 驱动电压(最大 rds on,最小 rds on):1.8V, 4.5V
  • rds on (max) @ id, vgs:23.9mOhm @ 5A, 4.5V
  • vgs(th) (最大值) @ id:1.1V @ 250µA
  • 栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:4.7 nC @ 4.5 V
  • vgs (最大值):±8V
  • 输入电容 (ciss) (max) @ vds:655 pF @ 10 V
  • 场效应管特征:-
  • 功耗(最大值):2.9W (Ta)
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安装类型:Surface Mount
  • 供应商设备包:6-WSON (2x2)
  • 包/箱:6-WDFN Exposed Pad
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