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SCT2H12NZGC11

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制造商部分
SCT2H12NZGC11
制造商
ROHM Semiconductor
描述
SICFET N-CH 1700V 3.7A TO3PFM
类别
分立半导体产品
家庭
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单
有存货
19261
在线数据表
SCT2H12NZGC11 PDF
  • 系列:-
  • 包裹:Tube
  • 零件状态:Active
  • 场效应管类型:N-Channel
  • 技术:SiCFET (Silicon Carbide)
  • 漏源电压 (vdss):1700 V
  • 电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:3.7A (Tc)
  • 驱动电压(最大 rds on,最小 rds on):18V
  • rds on (max) @ id, vgs:1.5Ohm @ 1.1A, 18V
  • vgs(th) (最大值) @ id:4V @ 900µA
  • 栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:14 nC @ 18 V
  • vgs (最大值):+22V, -6V
  • 输入电容 (ciss) (max) @ vds:184 pF @ 800 V
  • 场效应管特征:-
  • 功耗(最大值):35W (Tc)
  • 工作温度:175°C (TJ)
  • 安装类型:Through Hole
  • 供应商设备包:TO-3PFM
  • 包/箱:TO-3PFM, SC-93-3
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