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PMZ200UNEYL

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制造商部分
PMZ200UNEYL
制造商
Nexperia
描述
MOSFET N-CH 30V 1.4A DFN1006-3
类别
分立半导体产品
家庭
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单
有存货
19260
在线数据表
PMZ200UNEYL PDF
  • 系列:-
  • 包裹:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • 零件状态:Active
  • 场效应管类型:N-Channel
  • 技术:MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏源电压 (vdss):30 V
  • 电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:1.4A (Ta)
  • 驱动电压(最大 rds on,最小 rds on):1.5V, 4.5V
  • rds on (max) @ id, vgs:250mOhm @ 1.4A, 4.5V
  • vgs(th) (最大值) @ id:950mV @ 250µA
  • 栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:2.7 nC @ 4.5 V
  • vgs (最大值):±8V
  • 输入电容 (ciss) (max) @ vds:89 pF @ 15 V
  • 场效应管特征:-
  • 功耗(最大值):350mW (Ta), 6.25W (Tc)
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安装类型:Surface Mount
  • 供应商设备包:DFN1006-3
  • 包/箱:SC-101, SOT-883
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