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IRFHM8330TRPBF

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制造商部分
IRFHM8330TRPBF
制造商
International Components Corp.
描述
MOSFET N-CH 30V 16A/55A 8PQFN
类别
分立半导体产品
家庭
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单
有存货
17298
在线数据表
IRFHM8330TRPBF PDF
  • 系列:HEXFET®
  • 包裹:Bulk
  • 零件状态:Active
  • 场效应管类型:N-Channel
  • 技术:MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏源电压 (vdss):30 V
  • 电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:16A (Ta), 55A (Tc)
  • 驱动电压(最大 rds on,最小 rds on):-
  • rds on (max) @ id, vgs:6.6mOhm @ 20A, 10V
  • vgs(th) (最大值) @ id:2.35V @ 25µA
  • 栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:20 nC @ 10 V
  • vgs (最大值):±20V
  • 输入电容 (ciss) (max) @ vds:1450 pF @ 25 V
  • 场效应管特征:-
  • 功耗(最大值):2.7W (Ta), 33W (Tc)
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安装类型:Surface Mount
  • 供应商设备包:8-PQFN (3.3x3.3)
  • 包/箱:8-PowerVDFN
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