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ES6U1T2R

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制造商部分
ES6U1T2R
制造商
ROHM Semiconductor
描述
MOSFET P-CH 12V 1.3A 6WEMT
类别
分立半导体产品
家庭
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单
有存货
17270
在线数据表
ES6U1T2R PDF
  • 系列:-
  • 包裹:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • 零件状态:Last Time Buy
  • 场效应管类型:P-Channel
  • 技术:MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏源电压 (vdss):12 V
  • 电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:1.3A (Ta)
  • 驱动电压(最大 rds on,最小 rds on):1.5V, 4.5V
  • rds on (max) @ id, vgs:260mOhm @ 1.3A, 4.5V
  • vgs(th) (最大值) @ id:1V @ 1mA
  • 栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:2.4 nC @ 4.5 V
  • vgs (最大值):±10V
  • 输入电容 (ciss) (max) @ vds:290 pF @ 6 V
  • 场效应管特征:Schottky Diode (Isolated)
  • 功耗(最大值):700mW (Ta)
  • 工作温度:150°C (TJ)
  • 安装类型:Surface Mount
  • 供应商设备包:6-WEMT
  • 包/箱:SOT-563, SOT-666
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