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IPB160N08S4-03ATMA1

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制造商部分
IPB160N08S4-03ATMA1
制造商
IR (Infineon Technologies)
描述
N-CHANNEL POWER MOSFET
类别
分立半导体产品
家庭
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单
有存货
14723
在线数据表
-
  • 系列:*
  • 包裹:Bulk
  • 零件状态:Active
  • 场效应管类型:-
  • 技术:-
  • 漏源电压 (vdss):-
  • 电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:-
  • 驱动电压(最大 rds on,最小 rds on):-
  • rds on (max) @ id, vgs:-
  • vgs(th) (最大值) @ id:-
  • 栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:-
  • vgs (最大值):-
  • 输入电容 (ciss) (max) @ vds:-
  • 场效应管特征:-
  • 功耗(最大值):-
  • 工作温度:-
  • 安装类型:-
  • 供应商设备包:-
  • 包/箱:-
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