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CSD13383F4

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制造商部分
CSD13383F4
制造商
Texas Instruments
描述
MOSFET N-CH 12V 2.9A 3PICOSTAR
类别
分立半导体产品
家庭
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单
有存货
15525
在线数据表
-
  • 系列:FemtoFET™
  • 包裹:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • 零件状态:Active
  • 场效应管类型:N-Channel
  • 技术:MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏源电压 (vdss):12 V
  • 电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:2.9A (Ta)
  • 驱动电压(最大 rds on,最小 rds on):2.5V, 4.5V
  • rds on (max) @ id, vgs:44mOhm @ 500mA, 4.5V
  • vgs(th) (最大值) @ id:1.25V @ 250µA
  • 栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:2.6 nC @ 4.5 V
  • vgs (最大值):±10V
  • 输入电容 (ciss) (max) @ vds:291 pF @ 6 V
  • 场效应管特征:-
  • 功耗(最大值):500mW (Ta)
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安装类型:Surface Mount
  • 供应商设备包:3-PICOSTAR
  • 包/箱:3-XFDFN
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