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GA50JT12-247

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制造商部分
GA50JT12-247
制造商
GeneSiC Semiconductor
描述
TRANS SJT 1200V 100A TO247AB
类别
分立半导体产品
家庭
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单
有存货
18399
在线数据表
GA50JT12-247 PDF
  • 系列:-
  • 包裹:Tube
  • 零件状态:Obsolete
  • 场效应管类型:-
  • 技术:SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
  • 漏源电压 (vdss):1200 V
  • 电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:100A (Tc)
  • 驱动电压(最大 rds on,最小 rds on):-
  • rds on (max) @ id, vgs:25mOhm @ 50A
  • vgs(th) (最大值) @ id:-
  • 栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:-
  • vgs (最大值):-
  • 输入电容 (ciss) (max) @ vds:7209 pF @ 800 V
  • 场效应管特征:-
  • 功耗(最大值):583W (Tc)
  • 工作温度:175°C (TJ)
  • 安装类型:Through Hole
  • 供应商设备包:TO-247AB
  • 包/箱:TO-247-3
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