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BSZ086P03NS3EGATMA1

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制造商部分
BSZ086P03NS3EGATMA1
制造商
IR (Infineon Technologies)
描述
MOSFET P-CH 30V 13.5A/40A TSDSON
类别
分立半导体产品
家庭
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单
有存货
17629
在线数据表
BSZ086P03NS3EGATMA1 PDF
  • 系列:OptiMOS™
  • 包裹:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • 零件状态:Active
  • 场效应管类型:P-Channel
  • 技术:MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏源电压 (vdss):30 V
  • 电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:13.5A (Ta), 40A (Tc)
  • 驱动电压(最大 rds on,最小 rds on):6V, 10V
  • rds on (max) @ id, vgs:8.6mOhm @ 20A, 10V
  • vgs(th) (最大值) @ id:3.1V @ 105µA
  • 栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:57.5 nC @ 10 V
  • vgs (最大值):±25V
  • 输入电容 (ciss) (max) @ vds:4785 pF @ 15 V
  • 场效应管特征:-
  • 功耗(最大值):2.1W (Ta), 69W (Tc)
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安装类型:Surface Mount
  • 供应商设备包:PG-TSDSON-8
  • 包/箱:8-PowerTDFN
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