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IPS70R950CEAKMA1

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制造商部分
IPS70R950CEAKMA1
制造商
IR (Infineon Technologies)
描述
MOSFET N-CH 700V 7.4A TO251
类别
分立半导体产品
家庭
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单
有存货
13945
在线数据表
IPS70R950CEAKMA1 PDF
  • 系列:CoolMOS™
  • 包裹:Tube
  • 零件状态:Active
  • 场效应管类型:N-Channel
  • 技术:MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏源电压 (vdss):700 V
  • 电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:7.4A (Tc)
  • 驱动电压(最大 rds on,最小 rds on):10V
  • rds on (max) @ id, vgs:950mOhm @ 1.5A, 10V
  • vgs(th) (最大值) @ id:3.5V @ 150µA
  • 栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:15.3 nC @ 10 V
  • vgs (最大值):±20V
  • 输入电容 (ciss) (max) @ vds:328 pF @ 100 V
  • 场效应管特征:Super Junction
  • 功耗(最大值):68W (Tc)
  • 工作温度:-40°C ~ 150°C (TJ)
  • 安装类型:Through Hole
  • 供应商设备包:PG-TO251
  • 包/箱:TO-251-3 Stub Leads, IPak
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