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NTE2018

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制造商部分
NTE2018
制造商
NTE Electronics, Inc.
描述
IC-8 CHAN CMOS/TTL DR 18-PIN DIP
类别
分立半导体产品
家庭
晶体管 - 双极 (bjt) - 阵列
有存货
16776
在线数据表
-
  • 系列:-
  • 包裹:Bag
  • 零件状态:Active
  • 晶体管型:8 NPN Darlington
  • 电流 - 集电极 (ic) (max):600mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大值):50V
  • vce 饱和度(最大值)@ ib, ic:1.6V @ 350mA, 500A
  • 电流 - 集电极截止(最大值):-
  • 直流电流增益 (hfe) (min) @ ic, vce:-
  • 功率 - 最大值:1W
  • 频率转换:-
  • 工作温度:-20°C ~ 85°C (TA)
  • 安装类型:Through Hole
  • 包/箱:18-DIP (0.300", 7.62mm)
  • 供应商设备包:18-PDIP
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