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MT29E3T08EUHBBM4-3ES:B TR

MT29E3T08EUHBBM4-3ES:B TR

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制造商部分
MT29E3T08EUHBBM4-3ES:B TR
制造商
Micron Technology
描述
IC FLASH 3TB PARALLEL 333MHZ
类别
集成电路
家庭
记忆
系列
-
有存货
6908
在线数据表
-
询问

Product Specifications

Type 描述
系列:-
包裹:Tape & Reel (TR)
零件状态:Active
内存类型:Non-Volatile
内存格式:FLASH
技术:FLASH - NAND
内存大小:3Tb (384G x 8)
内存接口:Parallel
时钟频率:333 MHz
写周期时间 - 字,页:-
访问时间:-
电压 - 电源:2.5V ~ 3.6V
工作温度:0°C ~ 70°C (TA)
安装类型:-
包/箱:-
供应商设备包:-

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图片 零件号 描述 Stock / Unit Price
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