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MB85R256GPF-G-BND-ERE1

MB85R256GPF-G-BND-ERE1

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制造商部分
MB85R256GPF-G-BND-ERE1
制造商
Fujitsu Electronics America, Inc.
描述
IC FRAM 256KBIT PARALLEL
类别
集成电路
家庭
记忆
系列
-
有存货
6178
在线数据表
-
询问

Product Specifications

Type 描述
系列:-
包裹:Tape & Reel (TR)
零件状态:Obsolete
内存类型:Non-Volatile
内存格式:FRAM
技术:FRAM (Ferroelectric RAM)
内存大小:256Kb (32K x 8)
内存接口:Parallel
时钟频率:-
写周期时间 - 字,页:150ns
访问时间:150 ns
电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V
工作温度:-40°C ~ 85°C (TA)
安装类型:-
包/箱:-
供应商设备包:-

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