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MT53D512M64D4NY-046 XT ES:E TR

MT53D512M64D4NY-046 XT ES:E TR

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制造商部分
MT53D512M64D4NY-046 XT ES:E TR
制造商
Micron Technology
描述
IC DRAM 32GBIT 2133MHZ FBGA
类别
集成电路
家庭
记忆
系列
-
有存货
3740
在线数据表
-
询问

Product Specifications

Type 描述
系列:-
包裹:Tape & Reel (TR)
零件状态:Obsolete
内存类型:Volatile
内存格式:DRAM
技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
内存大小:32Gb (512M x 64)
内存接口:-
时钟频率:2.133 GHz
写周期时间 - 字,页:-
访问时间:-
电压 - 电源:1.1V
工作温度:-30°C ~ 105°C (TC)
安装类型:-
包/箱:-
供应商设备包:-

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图片 零件号 描述 Stock / Unit Price
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