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| Type | 描述 |
|---|---|
| 系列: | - |
| 包裹: | Bulk |
| 零件状态: | Obsolete |
| igbt型: | - |
| 配置: | Half Bridge |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大值）: | 600 V |
| 电流 - 集电极 (ic) (max): | 260 A |
| 功率 - 最大值: | 1042 W |
| vce(on) (max) @ vge, ic: | 1.9V @ 15V, 200A (Typ) |
| 电流 - 集电极截止（最大值）: | 5 µA |
| 输入电容 (cies) @ vce: | 13.1 nF @ 25 V |
| 输入: | Standard |
| ntc热敏电阻: | No |
| 工作温度: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 安装类型: | Chassis Mount |
| 包/箱: | Double INT-A-PAK (3 + 4) |
| 供应商设备包: | Double INT-A-PAK |
| 图片 | 零件号 | 描述 | Stock / Unit Price |
|---|---|---|---|
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APTGT50DSK60T3GMicrosemi |
IGBT MODULE 600V 80A 176W SP3 |
有存货: 0 $0.00000 |
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FZ1200R33KF2CNOSA2IR (Infineon Technologies) |
IGBT MODULE 3300V 2000A |
有存货: 0 $0.00000 |
