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BSM25GP120B2BOSA1

BSM25GP120B2BOSA1

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制造商部分
BSM25GP120B2BOSA1
制造商
IR (Infineon Technologies)
描述
IGBT MODULE 1200V
类别
分立半导体产品
家庭
晶体管 - igbts - 模块
系列
-
有存货
8980
在线数据表
-
询问

Product Specifications

Type 描述
系列:-
包裹:Tray
零件状态:Last Time Buy
igbt型:-
配置:Full Bridge
电压 - 集电极发射极击穿(最大值):1200 V
电流 - 集电极 (ic) (max):45 A
功率 - 最大值:230 W
vce(on) (max) @ vge, ic:2.55V @ 15V, 25A
电流 - 集电极截止(最大值):500 µA
输入电容 (cies) @ vce:1.5 nF @ 25 V
输入:Three Phase Bridge Rectifier
ntc热敏电阻:Yes
工作温度:150°C (TJ)
安装类型:Chassis Mount
包/箱:Module
供应商设备包:Module

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图片 零件号 描述 Stock / Unit Price
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